薄膜沉积（PECVD、ALD）

薄膜沉积工艺(如PECVD、ALD)要求基材表面洁净、活性高且化学状态可控。传统预处理依赖高温退火或湿法清洗，存在能耗高、易损伤敏感材料及残留污染等问题，导致薄膜均匀性差、附着力不足。等离子体处理技术可精准调控表面特性，提升成膜质量与工艺效率。

1、基材表面超洁净活化：采用射频等离子体对硅片、玻璃或柔性基材进行预处理，去除纳米级有机物与氧化物(去除率＞99.5%)，同步提升表面能至75mN/m以上，增强薄膜初始成核密度，减少针孔缺陷。

2、界面化学态定向调控：通过NH₃/O₂等离子体在基材表面生成氨基或羟基活性位点，优化ALD前驱体吸附效率，使Al₂O₃/SiNₓ薄膜厚度均匀性(±1%)、台阶覆盖率＞95%，满足3D结构镀膜需求。

3、低温沉积工艺赋能：等离子体辅助PECVD工艺将沉积温度降至150℃以下，避免热敏感材料(如OLED基板、聚合物)变形，薄膜应力降低30%，透过率/导电性达行业标准。

高均匀性：薄膜厚度偏差＜±2%，粗糙度Ra≤0.3nm。

强附着力：膜基结合力≥8B(ASTM D3359)，耐高温高湿测试(1000h)。

绿色节能：工艺能耗降低50%，无废水排放，符合SEMI S2标准。

本方案可提升光伏电池转换效率0.5%、半导体器件良率至99.2%，助力企业突破柔性电子、Micro LED等新兴领域的技术瓶颈，加速先进薄膜沉积工艺的产业化应用。