芯片封装焊线前等离子处理

芯片封装焊线工艺要求键合区表面无污染物、氧化层及弱边界层，传统化学清洗与机械研磨易引入残留或损伤微结构，导致焊线虚焊、拉力不足等问题。等离子体处理可精准清洁并活化表面，提升键合可靠性，满足高密度封装需求。

1、纳米级污染物去除：采用射频等离子体对芯片焊盘及引线框架进行干法清洗，彻底清除有机物、氧化物及颗粒残留(去除率＞99.9%)，表面能提升至72mN/m以上，确保金线/铜线与基材紧密接触。

2、表面微结构活化：通过Ar₂/O₂混合等离子体轰击，在键合区生成活性自由基与微粗糙表面(Ra≤50nm)，使焊线拉力强度提升30%~40%，剪切力测试合格率≥99.8%。

3、氧化层可控处理：针对铜、铝等金属焊盘，采用H₂/N₂等离子体选择性还原氧化层，厚度控制＜5nm，避免传统酸洗导致的腐蚀风险，保障电性能稳定性。

高可靠性：焊线虚焊率从0.5%降至0.02%以下，符合JEDEC标准。

无损工艺：无机械应力损伤，芯片微结构完整性100%保留。

高效节能：单片处理≤90秒，能耗较湿法清洗降低60%。

本方案可提升芯片封装良率至99.5%以上，减少键合工序返工成本50%，支持5G/AI芯片的高精度封装需求，助力企业通过ISO 14644-1洁净度认证，抢占先进封装技术高地。